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IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng) 華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對(duì)IGBT/SIC的封裝可靠性行進(jìn)行實(shí)驗(yàn),通過控制實(shí)驗(yàn)條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵是控制結(jié)溫的波動(dòng)范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實(shí)驗(yàn)壽命,從而得到IGBT的壽命。
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